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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1459R |
| 英文描述： | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 150伏五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SD1459R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1447 | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SD1478R | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1479 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD1480 | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1480P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1461 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-65430V 5A 80W BCE |
| 2SD1468 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1468R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1468STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1468STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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