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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1418DA |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SD1418DA |
2SD1418
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
120
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
5V
Collector current
I
C
1A
Collector peak current
i
C(peak)*
1
2A
Collector power dissipation
P
C*
2
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
120
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5—
—
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 100 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
320
V
EB = 5 V, IC = 150 mA*
2
h
FE2
30
—
V
CE = 5 V, IC = 500 mA*
2
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1VI
C = 500 mA, IB = 50 mA*
2
Base to emitter voltage
V
BE
—
1.5
V
CE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Gain bandwidth product
f
T
—
140
—
MHz
V
CE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Collector output capacitance
Cob
—
12
—
pF
V
CB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. The 2SD1418 is grouped by h
FE1 as follows.
2. Pulse test
Mark
DA
DB
DC
h
FE1
60 to 120
100 to 200
160 to 320
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1418DC | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DETR | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DEUL | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DDUR | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DEUR | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1418DB(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1418DBTR | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| 2SD1418DBTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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