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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1280 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage type medium output power amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, MINI PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SD1280 |
2
Transistor
2SD1280
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
CE(sat)
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25C
I
B
=5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
0.5
0.4
0.1
0.3
0.2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
20
Collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
(V)
C
C
0
12
10
8
2
Base current I
B
(mA)
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
=2V
Ta=25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=20
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75C
25C
–25C
V
CE
=2V
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
200
150
50
125
175
100
25
75
V
=6V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
50
40
30
20
10
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
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