參數(shù)資料
型號： 2SD1264
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SD1264
2
Power Transistors
2SD1264, 2SD1264A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
24
20
16
4
12
8
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=25C
I
B
=7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=10V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=5V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
5ms
1ms
DC
t=0.5ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述
2SD1266 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1267 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1267A Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1268 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD1269 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1264/2SD1264A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1264. 2SD1264A - NPN Transistor
2SD1264A 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1264AP 功能描述:TRANS NPN LF 180VCEO 2A TO-220F RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1264A-P 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1264APLS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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