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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1209(K) |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | 2SD1209(K) |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1209(K) | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1221-Y(2-7B2A) | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1222(2-7B2A) | 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1224 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1209KTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD1210 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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