參數(shù)資料
型號： 2SD1199
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
中文描述： 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SD1199
2
Transistor
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NV — I
C
NV — V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
160
120
40
100
140
80
20
60
Ta=25C
20
μ
A
30
μ
A
40
μ
A
50
μ
A
60
μ
A
70
μ
A
80
μ
A
90
μ
A
10
μ
A
I
B
=100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
1800
1500
1200
900
600
300
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
250
200
150
100
50
V
=10V
Ta=25C
T
T
1
3
10
30
100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector current I
C
(mA)
N
1
3
10
30
100
0
100
80
60
40
20
I
C
=1mA
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
N
2SD1199
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1200F MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)
2SB889F MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)
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參數(shù)描述
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2SD1199R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71
2SD1199S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71
2SD1199T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71
2SD1200 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR
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