參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1163A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 32K
代理商： 2SD1163A
2SD1163, 2SD1163A
3
Maximum Collector Dissipation
Curve
60
40
20
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
10
50
30
3
C
C
1.0
0.3
0.01
30
10
100
300
1,000
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Area of Safe Operation
(120 V, 0.9 A)
(150 V, 0.5 A)
(350 V, 5 mA)
(40 V, 20 A)
2SD1163
2SD1163A
Typical Output Characteristics
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
10
8
6
C
C
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
2 mA
4
6
8
10
12
25
°
C
500
200
100
50
20
5
10
0.1
D
F
0.2
0.5
1.0
2
10
Collector current I
C
(A)
5
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 5 V
–25
°
C
T
C
= 75
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD1164K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
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