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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1160 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SD1160 |
2SD1160
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Co
llect
or
-e
mitte
rs
atu
rati
on
vol
tag
e
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rs
a
tu
ra
tion
v
olta
ge
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
0
1.0
IB = 2 mA
0.2
0.4
2
4
8
0
10
14
0.6
6
12
0.8
Common
emitter
Tc = 25°C
3
4
5
6
8
10
50
100
300
1000
10
100
300
1000
30
Common emitter
VCE = 2 V
30
3000
500
Tc = 100°C
25
100
1
100
300
1000
3000
30
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
25
Tc = 25°C
Common emitter
IC/IB = 50
10
100
300
1000
3000
30
0.2
0.5
1
3
5
Common emitter
IC/IB = 50
100
25
Tc = 25°C
Emitter-collector forward voltage VECF (V)
IE – VECF
E
m
itte
rc
urr
en
t
I E
(m
A)
1000
0.4
0.8
1.2
1.4
0.2
10
50
100
300
500
IB = 0
25
Tc = 100°C
0.6
1.0
1.6
30
25
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ran
si
en
tth
er
ma
lre
si
st
an
ce
r th
(
°C
/W
)
1000
10 m
1
100
1 m
0.1
10
100
Curves apply only to limited areas of thermal
resistance.
(Single nonrepetitive pulse)
Tc = 25°C
100 m
10
1000
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1160 | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1163A | 7 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1163 | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1164-Z-T1K | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1164-Z-T1L | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD1161 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
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