參數(shù)資料
型號： 2SD1115(K)
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 29K
代理商： 2SD1115(K)
2SD1115(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
4.5 k
(Typ)
250
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
400
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
3A
Collector peak current
I
C(peak)
6A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
相關PDF資料
PDF描述
2SD1115(K) POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1115K 3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD111 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SD1138D 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1145 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1119GRL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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