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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1012-F |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SD1012-F |
2SB808/2SD1012
No.676—3/5
2
5
3
2
5
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100
10
1000
2
5
3
10000
23
5
1.0
23
5
10
23
5
100
1000
ITR08389
VCE(sat) -- IC
IC / IB=10
Cob -- VCB
10
1.0
10
7
5
3
2
23
27
35
ITR08388
f=1MHz
hFE -- IC
2
3
5
2
3
5
7
100
7
1000
10
23
5
1.0
23
5
10
23
5
100
23
5
1000
ITR08387
2SB808
2SD1012
VCE=2V
2SB808
2SD1012
2SB808
2SD1012
A S O
0.1
0.01
5
7
3
1.0
5
7
3
2
1.0
10
57
2
3
25
7
2
3
ITR08390
100ms
10ms
2SB808 / 2SD1012
DC
operation
ICP=1.5A
IC=0.7A
(For PNP, minus sign is omitted.)
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC — mA
Output
Capacitance,
Cob
—
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC — mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
mV
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
Current,
I C
—
A
0
320
280
240
200
160
120
80
40
020
40
60
100
120
140
80
PC -- Ta
ITR09908
2SB808 / 2SD1012
Collector
Dissipation,
P
C
—
mW
Ambient Temperature, Ta —C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1012-G | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB808G | 700 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012G | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012-H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1012F-SPA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012F-SPA-AC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
| 2SD1012G-SPA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012G-SPA-AC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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