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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0874GQ |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 210K |
| 代理商： | 2SD0874GQ |
2SD0874G
2
SJD00336AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
Safe operation area
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
8
26
4
0
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
Ta
= 25°C
IB
= 10 mA
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
25
°C
75
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
VCE
= 10 V
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0.1
1
10
100
0.01
10
1
0.1
Single pulse
TC
= 25°C
t
= 1 s
DC
2SD0874
2SD0874A
ICP
IC
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0874GS | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0958R | 20 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1001EL | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1001EM | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1005BV | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD0874GRL | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0874Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD0874R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD0874S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD0875 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Power Amplification |
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