型號: | 2SCR554PT100 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | MPT3, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大小: | 239K |
代理商: | 2SCR554PT100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD661AS | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD0661T | 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SCR554R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 1.5A) |
2SCR554RTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SCR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SCR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SCR574D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |