型號(hào): | 2SCR512PT100 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | MPT3, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 237K |
代理商: | 2SCR512PT100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SCR533DTL | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SCR554PT100 | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SCR512RTL | 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SCR513P | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
2SCR513P_09 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
2SCR513P5T100 | 功能描述:NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SCR513PFRAT100 | 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |