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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC6053 |
| 廠商： | ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION |
| 英文描述： | FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 中文描述： | 高電流驅(qū)動器應(yīng)用硅npn型外延式 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SC6053 |
ISAHAYA
ELECTRONICS
CORPORATION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC9011 | AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 2SC9011D | AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 2SC9011E | AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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| 2SC9011G | AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6053_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC6054G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC6054J0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC606 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC6060(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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