| 型號(hào): | 2SC6052 |
| 元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
| 文件大小: | 184K |
| 代理商: | 2SC6052 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6054J | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6060 | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6062 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6072 | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6076 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6053 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱(chēng):Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC6053_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱(chēng):Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC6054G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC6054J0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC606 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |