參數(shù)資料
型號： 2SC5949-R
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 134K
代理商： 2SC5949-R
Data Sheet D14864EJ2V0DS
3
2SD2161
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
To
ta
lP
ow
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Di
ss
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n
P
T
(
W
)
Case Temperature TC (
°C)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Case Temperature TC (
°C)
Derat
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(
%
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Trans
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is
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th
(t
)
(°
C/W
)
Pulse Width PW (s)
Col
le
ct
or
Current
IC
(A
)
Without
heatsink
Rth(j – a)
Single pulse
With infinite heatsink
相關PDF資料
PDF描述
2SC5949 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5950 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5957-N 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC5979 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5979 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC59540Q 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5964-S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5964-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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