參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5829
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： For High Speed Switching
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ML3-N2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： 2SC5829
2SC5829
2
SJC00287AED
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
0
160
60
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
80
120 140
40
100
0
60
50
40
30
20
10
C
C
0
6
1
5
2
4
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
6
5
4
3
2
15
μ
A
20
μ
A
10
μ
A
5
μ
A
25
μ
A
30
μ
A
35
μ
A
40
μ
A
45
μ
A
I
B
=
50
μ
A
1
T
a
=
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
2.0
0.4
1.6
1.2
0.8
0
60
50
40
30
20
10
V
CE
=
1 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
1
1
10
1
000
100
0.1
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
200
160
120
80
40
V
CE
=
1 V
F
F
Collector current I
C
(mA)
0.1
1
10
100
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
2
4
6
8
12
10
0.1
10
1
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
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2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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