參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5810
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： 2SC5810
2SC5810
2004-07-07
3
C
C
B
V
B
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
I
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
I
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
0
0.4
0.6
1
0.2
0.8
IB
=
1 mA
10
8
6
4
2
15
20
0
1.2
0.8
0.4
0.2
0.6
1
0
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
Ta
=
25 °C
100
1000
30
0.001
10000
Ta
=
100°C
55
25
1
0.1
0.01
0.003
0.03
0.3
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
0.1
0.3
0.03
1
0.001
1
0.1
0.01
0.003
0.03
0.3
Ta
=
100°C
25
55
0.01
0.003
Common emitter
IC/IB
=
50
Single nonrepetitive pulse
Ta
=
100°C
55
25
1
3
0.3
10
0.03
0.001
1
0.1
0.01
0.003
0.03
0.3
0.1
Common emitter
IC/IB
=
50
Single nonrepetitive pulse
0
1.2
0.8
0.4
0.2
0.6
1.0
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
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2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
2SC582 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5823-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
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