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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5712 |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | 2SC5712 |
2SC5712
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5712
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
DC-AC Converter Applications
High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max)
High-speed switching: tf = 120 ns (typ.)
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
VCEX
80
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3.0
Collector current
Pulse
ICP
5.0
A
Base current
IB
300
mA
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
= 10 s
PC
(Note)
2.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2)
Electrical Characteristics (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.3 A
400
1000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1 A
200
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 20 mA
0.14
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 20 mA
1.10
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
13
pF
Rise time
tr
40
Storage time
tstg
500
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1 circuit diagram.
VCC 30 V, RL = 30
IB1 = IB2 = 33.3 mA
120
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
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