參數(shù)資料
型號： 2SC5709
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： DC / DC Converter Applications
中文描述： 直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 37K
代理商： 2SC5709
2SA2043 / 2SC5709
No.6914-2/5
VR
RB
VCC=5V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2=3A
For PNP, the polarity is reversed.
Specifications
( ) : 2SA2043
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
(--)15
(--)15
(--)5
(--)10
(--)13
(--)1.2
Collector Dissipation
PC
1
Tc=25
°
C
15
150
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
(--)0.1
(--)0.1
560
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)12V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)3A, IB=(--)60mA
IC=(--)4.5A, IB=(--)90mA
IC=(--)3A, IB=(--)60mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
μ
A
μ
A
200
(220)280
(90)50
(
--
110)120
(
--
160)180
(--)0.85
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
(
--
170)180
(
--
240)280
(--)1.2
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
(--)15
(--)15
(--)5
30
(120)180
(14)25
Swicthing Time Test Circuit
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2SC5720(TPE4,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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