參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5646
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: UHF to S Band Low-Noise Amplifier andOSC Applications
中文描述: 超高頻的S波段低噪聲放大器andOSC應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商: 2SC5646
2SC5646
No.6606-5/6
VCE=3V, IC=5mA, ZO=50
Freq(MHz)
S
11
0.854
0.719
0.574
0.514
0.458
0.421
S
11
--29.8
--55.0
--72.8
--86.9
--100.6
--110.4
S
21
11.793
9.801
7.799
6.563
5.612
4.876
S
21
153.4
133.9
121.1
110.0
100.8
93.8
S
12
0.039
0.066
0.082
0.093
0.103
0.111
S
12
71.9
59.9
51.9
48.3
47.3
47.0
S
22
0.907
0.770
0.641
0.557
0.501
0.461
S
22
--22.1
--37.9
--47.3
--54.1
--60.5
--64.3
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0.388
0.364
0.346
0.335
0.328
0.319
--119.5
--127.4
--134.9
--139.3
--146.3
--150.3
4.298
3.841
3.440
3.148
2.889
2.694
87.7
82.7
78.5
73.7
69.9
65.4
0.119
0.125
0.134
0.142
0.150
0.158
47.0
47.6
47.6
48.0
48.8
49.0
0.433
0.415
0.399
0.390
0.390
0.386
--67.7
--69.8
--72.2
--73.9
--76.0
--79.2
2600
2800
3000
0.319
0.313
0.314
--155.7
--159.5
--163.8
2.500
2.365
2.218
62.0
58.2
54.8
0.166
0.175
0.187
49.9
50.1
51.2
0.376
0.381
0.417
--79.1
--78.3
--77.8
VCE=3V, IC=10mA, ZO=50
Freq(MHz)
S
11
0.746
0.584
0.460
0.398
0.371
0.346
S
11
--42.4
--72.2
--91.8
--107.4
--120.9
--130.4
S
21
16.884
12.609
9.390
7.534
6.340
5.393
S
21
145.0
123.6
112.1
102.6
94.0
88.2
S
12
0.036
0.056
0.068
0.078
0.087
0.097
S
12
67.2
57.1
52.3
51.9
53.1
53.8
S
22
0.837
0.649
0.515
0.437
0.394
0.365
S
22
--28.8
--45.4
--53.0
--59.3
--64.0
--66.5
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0.331
0.320
0.310
0.307
0.301
0.302
--138.4
--145.5
--151.6
--157.1
--161.7
--165.9
4.681
4.166
3.720
3.388
3.110
2.877
83.2
78.7
74.9
71.0
67.1
63.5
0.106
0.116
0.126
0.136
0.146
0.157
54.5
55.3
55.3
55.9
56.2
55.9
0.344
0.331
0.325
0.323
0.326
0.326
--69.1
--71.0
--73.0
--74.2
--76.1
--79.2
2600
2800
3000
0.299
0.300
0.300
--169.6
--173.1
--176.5
2.684
2.513
2.374
60.0
56.8
53.5
0.167
0.178
0.192
56.3
56.5
56.4
0.318
0.329
0.367
--78.8
--77.3
--76.7
VCE=3V, IC=20mA, ZO=50
Freq(MHz)
S
11
0.621
0.471
0.379
0.350
0.338
0.327
S
11
--57.1
--91.2
--111.9
--127.4
--139.0
--147.7
S
21
20.374
13.710
9.792
7.674
6.356
5.374
S
21
136.5
115.3
105.5
97.1
89.3
84.0
S
12
0.032
0.047
0.058
0.068
0.079
0.089
S
12
63.7
56.4
54.8
56.5
58.5
59.8
S
22
0.744
0.537
0.422
0.363
0.331
0.312
S
22
--34.4
--49.1
--54.1
--58.3
--61.6
--63.6
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0.321
0.317
0.313
0.311
0.311
0.312
--154.9
--160.5
--165.4
--169.9
--173.6
--177.3
4.646
4.119
3.670
3.336
3.060
2.826
79.4
75.4
71.8
68.1
64.5
61.0
0.100
0.110
0.122
0.133
0.144
0.156
60.5
61.1
60.8
61.1
61.2
60.7
0.302
0.296
0.295
0.298
0.305
0.308
--65.6
--67.5
--69.4
--70.9
--72.8
--76.3
2600
2800
3000
0.312
0.313
0.315
--179.9
176.7
174.3
2.633
2.464
2.325
57.7
54.5
51.4
0.168
0.180
0.193
60.6
60.6
60.1
0.303
0.318
0.357
--75.8
--74.6
--74.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5648 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
2SC5669 230V / 15A, AF100W Output Applications
2SA2031 230V / 15A, AF100W Output Applications
2SC5680 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC5681 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5658 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN
2SC5658GT2LR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR