參數(shù)資料
型號： 2SC5634
廠商： ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
英文描述： FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
中文描述： 高頻信號放大的應(yīng)用硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： 2SC5634
DC FORWARD CURRENT GAIN
VS. COLLECTOR CURRENT
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
VS. COLLECTOR CURRENT
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
POWER GAIN VS. COLLECTOR CURRENT
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
POWER GAIN VS. COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC5727 SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC5789 SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
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參數(shù)描述
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5658 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN
2SC5658GT2LR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR
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