參數(shù)資料
型號： 2SC5629
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SC5629
2SC5629
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
15
V
Collector to emitter voltage
6
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
80
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
—
—
V
I
C
= 10
μ
A , I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Cob
—
—
1
μ
A
V
CB
= 12V , I
E
= 0
V
CE
= 6V , R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5V , I
C
= 0
V
CE
= 1V , I
C
= 5mA
V
= 1V , I
E
= 0
f = 1MHz
Collector cutoff current
—
—
1
mA
Emitter cutoff current
—
—
10
μ
A
DC current transfer ratio
80
120
160
V
Collector output capacitance
—
1.4
1.9
pF
Gain bandwidth product
f
T
PG
2
5
—
GHz
V
CE
= 1V , I
C
= 5mA
V
= 1V, I
C
= 5mA
f = 900MHz
Power gain
6
9
—
dB
Noise figure
NF
—
1.1
1.9
dB
V
= 1V, I
C
= 5mA
f = 900MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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