參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5623
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2SC5623
2SC5623
6
Sparameter
( V
CE
= 2 V, I
C
= 10 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz) MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.779
–6.9
21.32
173.3
0.0028
95.3
0.971
–3.6
200
0.773
–14.5
20.95
166.2
0.0064
92.6
0.971
–7.5
300
0.763
–22.9
20.35
158.9
0.0102
91.8
0.961
–12.1
400
0.741
–31.4
19.65
151.7
0.0142
87.0
0.941
–16.7
500
0.714
–38.7
18.72
145.2
0.0183
83.4
0.911
–20.8
600
0.679
–46.2
17.65
139.3
0.0222
79.7
0.876
–24.7
700
0.641
–53.6
16.61
133.9
0.0255
75.6
0.836
–27.9
800
0.601
–59.7
15.54
129.3
0.0286
72.7
0.795
–30.8
900
0.563
–65.6
14.54
124.4
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69.5
0.756
–33.1
1000
0.523
–70.7
13.62
120.5
0.0335
67.8
0.720
–34.9
1100
0.488
–75.0
12.78
117.1
0.0356
66.0
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–36.5
1200
0.458
–80.1
12.05
114.1
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64.1
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–37.5
1300
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–83.8
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111.0
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–38.4
1400
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–88.9
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108.5
0.0410
62.4
0.607
–38.9
1500
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–91.9
10.15
106.0
0.0426
61.0
0.582
–39.6
1600
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–96.1
9.59
104.0
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61.1
0.567
–39.8
1700
0.326
–100.1
9.14
101.7
0.0455
60.4
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–40.2
1800
0.304
–102.9
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100.1
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59.7
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–40.2
1900
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–107.0
8.29
98.1
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–40.5
2000
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–110.8
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96.1
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–40.5
2100
0.253
–115.2
7.62
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–40.5
2200
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–118.7
7.30
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–40.7
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58.4
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–40.7
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–131.8
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–40.5
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6.31
86.8
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58.3
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–40.7
2700
0.186
–141.9
6.11
85.4
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58.2
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–40.4
2800
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–146.0
5.89
84.2
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58.2
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–40.6
2900
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5.73
82.7
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58.3
0.447
–40.5
3000
0.168
–157.0
5.56
81.4
0.0642
57.8
0.442
–40.9
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2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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