| 型號(hào): | 2SC5620 | 
| 廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. | 
| 英文描述: | For Low Frequency Amplify Application Sillcon Npn Epitaxial Type | 
| 中文描述: | 低頻擴(kuò)增應(yīng)用Sillcon npn型外延式 | 
| 文件頁數(shù): | 4/5頁 | 
| 文件大?。?/td> | 236K | 
| 代理商: | 2SC5620 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| 2SC5621 | FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE | 
| 2SC5622 | Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) | 
| 2SC5625 | SILICON EPITAXIAL | 
| 2SC5626 | 2SC5626 | 
| 2SC5632 | Silicon NPN epitaxial planar type | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR | 
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR | 
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR | 
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR | 
| 2SC5646A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |