參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5606
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管·低噪聲高增益放大3針Ultra超MINIMOLD
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SC5606
Preliminary Data Sheet P14658EJ2V0DS00
3
2SC5606
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
×
1.0 mm (t) )
200
150
115
100
50
0
25
0
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
f = 1 MHz
1.0
0.1
1.0
0.1
10.0
100.0
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
650 A
I
B
100 A step
I
B
= 50 A
250 A
450 A
40
30
20
10
0
1
2
3
0
4
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 2 V
40
30
20
10
0
0
0.6
0.4
0.2
0.8
1.0
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 2 V
1 000
100
10
0.1
10.0
1.0
100.0
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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