參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5594
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SC5594
2SC5594
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100 to 2000 MHz (100 MHz step)
V = 2 V , I = 20 mA
Condition ;
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition ;
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition ;
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
S11 Parameter vs. Frequency
S21 Parameter vs. Frequency
S12 Parameter vs. Frequency
S22 Parameter vs. Frequency
V = 2 V , I = 20 mA
V = 2 V , I = 20 mA
V = 2 V , I = 20 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5606-T1 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
2SC5606 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
2SC5610 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC變換器的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA2022 DC/DC Converter Applications
2SC5623 SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5611 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
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