參數(shù)資料
型號： 2SC5593
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2SC5593
2SC5593
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
12
V
Collector to emitter voltage
4.5
V
Emitter to base voltage
1
V
Collector current
12
mA
Collector power dissipation
50
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
12
—
—
V
I
C
= 10
μ
A , I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Cob
—
—
1
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
= 10 V , I
E
= 0
V
CE
= 4 V , R
BE
=
∞
V
EB
= 1 V , I
C
= 0
V
CE
= 2 V , I
C
= 10 mA
V
= 2 V , I
E
= 0
f = 1 MHz
Collector cutoff current
—
—
1
Emitter cutoff current
—
—
12
DC current transfer ratio
60
100
140
V
Collector output capacitance
—
0.16
0.4
pF
Gain bandwidth product
f
T
20
23
—
GHz
V
= 2 V , I
C
= 10 mA
f = 2 GHz
Power gain
PG
14
18
—
dB
V
= 2 V , I
C
= 10 mA
f = 1.8 GHz
Noise figure
NF
—
1.8
2.3
dB
V
= 2 V , I
C
= 3 mA
f = 1.8 GHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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