參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5013EB
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SC5013EB
Data Sheet PU10518EJ01V0DS
4
2SC5013
Frequency f (GHz)
MAXIMUM AVAILABLE GAIN/INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
Noise
Figure
NF
(dB)
Maximum
Available
Gain
MAG
(dB)
0.1
50
0
10
0.5
1.0
VCE = 6 V
IC = 10 mA
20
30
40
|S21e|2
MAG
5.0
1
12
0
8
510
20
50
VCE = 6 V
f = 2 GHz
2
4
5
4
1
3
0
1
2
510
50
VCE = 6 V
f = 2 GHz
220
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave]
→ [Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5015-KB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5015-T1KB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5022 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5022 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC5039TPE6 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC5014 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5014-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
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