參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5010
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管)
中文描述： NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
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代理商： 2SC5010
2SC5010
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
75
150
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
12.0
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
Feed-Back Capacitance
C
re
0.4
0.7
pF
V
CE
= 3 V, I
E
= 0 , f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
7.0
8.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
Noise Figure
NF
1.5
2.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
*1
Pulse Measurement PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %
*2
The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance
bridge.
h
FE
Classification
Rank
FB
Marking
83
h
FE
75 to 150
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PDF描述
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