參數(shù)資料
型號: 2SC5010-T1FB-A
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商: 2SC5010-T1FB-A
1997 Mar 25
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistor
2N4124
FEATURES
Low current (max. 200 mA)
Low voltage (max. 25 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification,
e.g. small-signal audio-frequency applications.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complement: 2N4126.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
collector
2
base
3
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage1
3
2
MAM279
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
30
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
25
V
ICM
peak collector current
300
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
500
mW
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 1 V
120
360
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 20 V; f = 100 MHz
300
MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5011-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000