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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5009-FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SC5009-FB |
2SC5009
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)
2
50
150
100
0
50
100
150
40
30
20
10
0
0.5
1
VCE = 3 V
30
0
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
20
10
2
4
8
500
50
10
1
2
5
10
20
50
VCE = 3 V
14
0
12
10
8
6
4
1
2
5
10
20
50
12
0.5
8
4
0
1
2
5
20
10
VCE = 3 V
50
60 mW
120
A
140
A
160
A
180
A
200
A
6
IB =
200
100
20
f = 2 GHz
50
f = 2 GHz
P
T
–
Total
Power
Dissipation
–
mW
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free Air
IC
–
Collector
Current
–
mA
fT
–
Gain
Bandwidth
Product
–
GHz
IC
–
Collector
Current
–
mA
h
FE
–
DC
Current
Gain
|S
21
e|
2 –
Insertion
Power
Gain
–
dB
TA – Ambient Temperature – C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
VCE – Collector to Emitter Voltage – V
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
IC – Collector Current – mA
I C – Collector Current – mA
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
IC – Collector Current – mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
VBE – Base to Emitter Voltage – V
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5010-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SC5010-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2SC5010-T1 |
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