參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4976
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： High-Definition CRT Display Video Output Applications
中文描述： 高清晰度CRT顯示器視頻輸出應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SC4976
2SA1875 / 2SC4976
No.5507-2/5
Specifications
( ) : 2SA1875
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
°
C
°
C
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
(--)200
(--)200
(--)3
(--)300
(--)600
(--)30
Collector Dissipation
PC
0.8
12
150
Tc=25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
(--)0.1
(--)1.0
320*
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
Cre
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCB=(--)150V, IE=0
VEB=(--)2V, IC=0
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
VCE=(--)10V, IC=(--)250mA
VCE=(--)10V, IC=(--)100mA
VCB=(--)30V, f=1MHz
VCB=(--)30V, f=1MHz
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)100
μ
A, IC=0
μ
A
μ
A
DC Current Gain
60*
20
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
400
MHz
pF
pF
V
V
V
V
V
(5.0)4.2
(4.2)3.4
(
--
)1.0
(
--
)1.0
(--)200
(--)200
(--)3
* : The 2SA1875 / 2SC4976 are classified by 50mA hFE as follows
Rank
D
hFE
60 to 120
100 to 200
E
F
160 to 320
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.0
--0.8
--1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IT03431
--100
--50
0
--350
--150
--200
--250
--300
2SA1875
VCE= --10V
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IT03432
100
50
0
350
150
200
250
300
2SC4976
VCE=10V
T
°
C
2
°
C
-
°
C
T
°
C
2
°
C
-
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7101 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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