參數資料
型號： 2SC4964
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數： 2/7頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SC4964
2SC4964
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
12
V
Collector to emitter voltage
8
V
Emitter to base voltage
3
V
Collector current
100
mA
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
12
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
1
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
CE
= 8 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 3 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
I
C
= 80 mA, I
B
= 5 mA
—
—
1
mA
Emitter cutoff current
—
—
10
μ
A
DC current transfer ratio
100
250
600
Collector to emitter saturation
voltage
—
200
300
mV
Collector output capacitance
Cob
—
1.2
1.6
pF
V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
I
B
= 2.5 mA, f = 1 kHz
On resistance
Note:
Ron
—
2.0
—
Marking is “YV–”.
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