參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4958
廠商： NEC Corp.
英文描述： High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 40K
代理商： 2SC4958
2SC4958
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
75
150
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
*1
Gain Bandwidth Product
f
T
12
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2.0 GHz
Feed back Capacitance
C
re
0.3
0.5
pF
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
7
8.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2.0 GHz
Noise Figure
NF
2.5
4.0
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 mA, f = 2.0 GHz
*1
Pulse Measurement ; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
*2
h
FE
Classification
Rank
T82
Marking
T82
h
FE
75 to 150
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
50
200
100
0
50
100
150
60 mW
40
30
20
10
0
0.5
1
V
CE
= 3 V
TOTAL POWER DISSIPATION
vs.AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Free Air
P
T
I
C
T
A
– Ambient Temperature – °C
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
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PDF描述
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2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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