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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4881 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | 2SC4881 |
2SC4881
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC4881
High-Current Switching Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max)
High-speed switching: tstg = 0.8 s (typ.)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
DC
IC
5
Collector current
Pulse
ICP
8
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
―
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
―
V
hFE (1)
VCE = 1 V, IC = 1 A
100
―
320
DC current gain
hFE (2)
VCE = 1 V, IC = 2.5 A
60
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 2.5 A, IB = 125 mA
―
0.25
0.4
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 2.5 A, IB = 125 mA
―
1.0
1.3
V
Transition frequency
fT
VCB = 4 V, IC = 1 A
―
100
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
45
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.1
―
Storage time
tstg
―
0.8
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 125 mA, duty cycle ≤ 1%
―
0.1
―
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 30 V
I B2
Output
12
IB2
IB1
Input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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