參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4829
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SC4829
2SC4829
2
Ordering Information
h
FE
60 to 120
2SC4829B
2SC4829C
100 to 200
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
C (peak)
P
C
Tj
100
V
Collector to emitter voltage
100
V
Emitter to base voltage
3
V
Collector current
0.2
A
Collector peak current
0.5
A
Collector power dissipation
0.9
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
100
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
100
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter cutoff current
I
EBO
I
CBO
h
FE
—
—
10
μ
A
μ
A
V
EB
= 3 V, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
Collector cutoff current
—
—
1.0
DC current
transfer ratio
2SC4829B
60
—
120
2SC4829C
h
FE
V
BE
V
CE(sat)
100
—
200
Base to emitter voltage
—
—
1.0
V
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.0
V
Gain bandwidth product
f
T
Cob
800
1100
—
MHz
V
CE
= 10 V, I
E
= 100 mA
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
—
4.2
6.0
pF
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