參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4828
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散(三倍擴(kuò)散npn型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商: 2SC4828
2SC4828
3
0
Ambient temperature Ta (
°
C)
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
4
12
8
T
C
1.5 W
Ta
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
B
= 0
2
μ
A
4
6
8
12
14
16
10
1
2
5
10
20
50
100
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
(
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Typical Transfer Characteristics
V
CE
= 20 V
0
20
40
60
80
100
Collector current I
C
(mA)
D
F
1
2
5
10
20
50
100
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
= 20 V
Pulse
T
C
= 75
°
C
25
–25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4837 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for 50V/4A Switching Applications(用于50V/4A轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA1855 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for 50V/4A Switching Applications(用于50V/4A轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SC4849 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開(kāi)關(guān)晶體管)
2SC4851 Muting Circuits
2SC4852 Muting Circuits
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4833-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2