參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4702
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SC4702
2SC4702
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
300
V
Collector to emitter voltage
300
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
300
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
300
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
V
CE(sat)
—
—
0.1
μ
A
V
CB
= 250 V, I
E
= 0
I
C
= 30 mA, I
B
= 3 mA
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
0.5
V
DC current transfer ratio
h
FE
f
T
Cob
60
—
150
V
CE
= 6 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
—
80
—
MHz
Collector output capacitance
Note:
Marking is “XV–”.
—
1.5
—
pF
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