參數(shù)資料
型號： 2SC4663
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ITO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 300K
代理商： 2SC4663
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
FS Series
Switching Power Transistor
5A NPN
2SC4663
(TP5V20FS)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
250
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
200
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
5A
Collector Current Peak
ICP
10
Base Current DC
IB
2
A
Base Current Peak
IBP
4
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
25
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case, AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nm)
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.1A
Min 200
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
ICEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 2V, IC = 2.5A
10`25*1
hFEL
VCE = 2V, IC = 1mA
Min 10
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 2.5A
Max 1.0
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.5A
Max 1.5
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 5.0
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.5A
TYP 13
MHz
Turn on Time
ton
IC = 2.5A
Max 0.3
Storage Time
ts
IB1 = 0.5A, IB2 = 1A
Max 1.0
s
Fall Time
tf
RL = 60, VBB2 = 4V
Max 0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4664P 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4664M 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4667-R 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4667-Y 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4667-O 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4663-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4664-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4664-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4664-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4664-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*