參數(shù)資料
型號： 2SC461
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Planar
中文描述： 硅瑞展
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2SC461
2SC460, 2SC461
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SC460
2SC461
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
30
—
—
30
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
30
—
—
30
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
5
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
V
BE
—
—
0.5
—
—
0.5
μ
A
μ
A
V
CB
= 18 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
Emitter cutoff current
—
—
0.5
—
—
0.5
Base to emitter voltage
—
0.63
0.75
—
0.63
0.75
V
DC current transfer ratio h
FE
*
1
Collector to emitter
saturation voltage
35
—
200
35
—
200
V
CE(sat)
—
0.6
1.1
—
0.6
1.1
V
Gain bandwidth product f
T
Collector output
capacitance
—
230
—
—
230
—
MHz
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
C
ob
—
1.8
3.5
—
1.8
3.5
pF
10.7 MHz power gain
PG
26
29
—
—
—
—
dB
V
= 6 V, I
E
= –1 mA
f = 10.7 MHz
100 MHz power gain
PG
—
—
—
13
17
—
dB
V
= 6 V, I
E
= –1 mA
f = 100 MHz
Noise figure
NF
—
2.0
—
—
—
—
dB
V
= 6 V, I
E
= –1 mA
f = 1MHz
R
g
= 500
Note:
A
1. The 2SC460 and 2SC461 are grouped by h
FE
as follows.
B
C
35 to 70
60 to 120
100 to 200
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PDF描述
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