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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4617L-R-AL3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | 2SC4617L-R-AL3-R |
2SC4617
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-081.D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
7
V
Collector Current
IC
0.15
A
SOT-523
PC
150
mW
Collector Power Dissipation
SOT-23/SOT-323
PC
200
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC= 50μA
60
V
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC= 1mA
50
V
Emitter-base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=50μA
7
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=60V
0.1
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB= 7V
0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=6V, IC=1mA
120
560
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5mA
0.4
V
Transition Frequency
fT
VCE=12V, IE= -2mA, f=100MHz
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCE= 12V, IE= 0A, f=1MHz
2
3.5
pF
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
Q
R
S
RANGE
120 ~ 270
180 ~ 390
270 ~ 560
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4617G-Q-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4617L-R-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC461CTZ | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC461BTZ | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC4620TV2N | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4617T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2S 4617 TL |
| 2SC4617TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4617TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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