參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4617H
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General Purpose Transistor(通用晶體管)
中文描述： 通用晶體管（通用晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： 2SC4617H
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC4617H / 2SC1740S
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Cob
Min.
60
50
7
-
-
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
2
-
-
-
0.1
0.1
560
0.4
-
3.5
V
I
C
=50
μ
A
I
C
=1mA
I
E
=50
μ
A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
V
CE
=6V, I
C
=1mA
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=12V, I
E
=-2mA, f=100MHz
V
CE
=12V, I
E
=0A, f=1MHz
V
V
μ
A
μ
A
-
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
!
Packaging specifications and h
FE
Package
Code
Taping
Bulk
Basic ordering
unit (pieces)
T146
T106
3000
3000
-
-
QRS
h
FE
QRS
2SC2412K
2SC4081
-
-
TL
3000
-
-
T2L
8000
-
-
-
-
QRS
2SC4617
2SC4617H
-
-
-
QRS
-
-
-
TP
5000
-
-
-
-
QRS
2SC1740S
Type
h
FE
values are classified as follows :
Item
Q
R
S
h
FE
120~270
180~390
270~560
!
Electrical characterristic curves
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.1
0.2
0.5
2
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
5
10
T
=
1
C
V
CE
=6V
C
C
(
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
2
C
-
C
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics ( I )
0
20
40
60
80
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.05mA
0.10mA
0.15mA
0.25mA
0.30mA
0.35mA
0.20mA
Ta=25
C
I
B
=0A
0.50mA
0.45mA
0
0
2
8
10
4
8
12
16
4
6
20
I
B
=0A
Ta=25
C
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
3
μ
A
6
μ
A
9
μ
A
12
μ
A
15
μ
A
18
μ
A
21
μ
A
24
μ
A
27
μ
A
30
μ
A
Fig.3 Grounded emitter output
characteristics ( II )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4617 General Purpose Transistor(通用晶體管)
2SC4618 High-Frequency Amplifier Transistor(高頻放大器晶體管)
2SC4618H High-Frequency Amplifier Transistor(高頻放大器晶體管)
2SC4632 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/10mA高電壓放大器，高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管)
2SC4633 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA高電壓放大器，高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4617T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4617T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4617TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2S 4617 TL
2SC4617TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4617TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A SOT-416 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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