參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4591
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 24K
代理商: 2SC4591
2SC4591
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
15
V
Collector to emitter voltage
9
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Cob
1
μ
A
V
CB
= 12 V, I
E
= 0
V
CE
= 9 V, R
BE
=
V
EB
= 1.5 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 20 mA
V
= 5 V, I
E
= 0,
f = 1MHz
1
mA
Emitter cutoff current
10
μ
A
DC current transfer ratio
40
120
250
Collector output capacitance
0.8
1.5
pF
Gain bandwidth product
f
T
PG
6.5
9.0
GHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 20 mA
V
= 5 V, I
C
= 20 mA,
f = 900 MHz
Power gain
9.5
12.5
dB
Noise figure
NF
1.2
2.5
dB
V
= 5 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Note:
Marking is “XM–”.
See characteristic curve of 2SC4592
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PDF描述
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2SC4604,F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC4604,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1