參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4571T76
廠商: NEC Corp.
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-323
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 12V的五(巴西)總裁| 60mA的一(c)|的SOT - 323
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: 2SC4571T76
3
2SC4571
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
150
100
50
0
50
100
150
T
a
-Ambient Temperature-
°
C
P
T
-
10
50
20
100
200
0.5
1
5
2
10
20
50
I
C
-Collector Current-mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
h
F
-
0
8
16
24
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
BE
-Base to Emitter Voltage-V
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
I
C
-
V
CE
= 5 V
8
4
16
12
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
|
2
|
2
-
Free Air
120 mW
0
10
20
30
2
4
6
8
10
V
CE
-Collector to Emitter Voltage-V
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
I
C
-
100 A
μ
80 A
μ
60 A
40 A
I
B
= 120 A
μ
V
CE
= 5 V
00.5
1
5
2
10
20
50
I
C
-Collector Current-mA
0
0.5
2
4
6
8
1
7
5
3
10
100
50 70
30
I
C
-Collector Current-mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
-
f = 1 GHz
f = 1 GHz
V
CE
= 5 V
3 V
V
CE
= 5 V
3 V
20 A
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PDF描述
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