參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4569T75
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | TO-236
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 60mA的一（c）|至236
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： 2SC4569T75
2
2SC4569
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
10
20
50
100
200
1
5
2
10
20
50
0.5
I
C
-Collector Current-mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
h
F
-
V
CC
= 5 V
0
0.5
2
4
6
8
1
7
5
3
10
100
50 70
30
I
C
-Collector Current-mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
-
f = 1 GHz
0.1
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
1
5
7
10
20
3
V
CB
-Collector to Base Voltage-V
OUTPUT CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
o
-
V
CE
= 5 V
3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4580-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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