- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369120 > 2SC4500L (Hitachi,Ltd.) Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4500L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SC4500L |
2SC4500(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
P
C
P
C
*
Tj
60
V
Collector to emitter voltage
60
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
1
A
Collector peak current
2
A
Collector power dissipation
0.8
W
1
8
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
= _
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 0.1 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE
V
CE (sat)
—
—
10
μA
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= –500 mA*
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
DC current transfer ratio
2000
—
—
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE (sat)
—
—
2.0
V
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
1
Turn on time
t
on
—
100
—
ns
V
CC
= 12 V, IC = 250 mA,
I
B1
= –I
B2
= 5 mA
Turn off time
Note:
t
off
—
600
—
ns
1. Pulse Test.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4500 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SC4500S | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC4501L | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SC4501S | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SC4501 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4500L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4500-S(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4505T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN 2SC4505 MPT3 |
| 2SC4505T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4505T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。