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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4488S |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NMP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SC4488S |
2SA1708 / 2SC4488
No.3094-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)400mA, IB=(--)40mA
(--0.2)0.1
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)400mA, IB=(--)40mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(80)80
ns
Strage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(700)850
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)50
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7519-003
12
3
6.9
0.5
0.6
4.0
4.5
1.0
2.5
1.45
1.0
0.9
0.45
2.54
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR04323
2SC4488
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--1
--2
--4
--5
--3
ITR04322
2SA1708
IB=0mA
--1mA
--2mA
--15mA
--10mA
--5mA
--3mA
--20mA
--25mA
--30mA
IB=0mA
1mA
3mA
2mA
5mA
20mA
15mA
10mA
25mA
30mA
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
012
4
5
3
VR
RL
VCC=50V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=400mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100μF470μF
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1708T | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4488S | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1714 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714-L | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1720-AZ | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4488S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4488T | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SC4488T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4489S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4489T | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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