參數(shù)資料
型號： 2SC4227
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SC4227
2SC4227
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
20
10
1.5
65
150
150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
–65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.8
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.8
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
40
240
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
*1
Gain Bandwidth Product
f
T
4.5
7.0
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Feedback Capacitance
C
re
0.45
0.9
pF
V
CE
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
10
12
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
Noise Figure
NF
1.4
2.7
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
*1
Pulse Measurement ; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
*2
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
h
FE
Classification
Rank
R33
R34
R35
Marking
R33
R34
R35
h
FE
40 to 90
70 to 150
110 to 240
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PDF描述
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