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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4225 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC4225 |
2SC4225
2
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
200
100
50
30
20
10
0.5
1
2
5
10
20
50 70
I
C
- Collector Current - mA
h
F
V
CE
= 10 V
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
70
50
20
10
5
2
1
0.5
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
CE
= 10 V
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
I
C
V
BE
- Base to Emitter Voltage - V
7
5
2
0.5
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50 70
I
C
- Collector Current - mA
f
T
V
CE
= 10 V
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
15
10
5
0
0.5
1
2
5
10
20
50 70
I
C
- Collector Current - mA
S
2
2
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
= 10 V
f = 1.0 GHz
2
0.5
0.3
1
C
o
0
0.5
1
2
5
10
20
30
f = 1.0 GHz
7
5
2
0
0.5
1
2
5
10
20
50 70
I
C
- Collector Current - mA
N
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
V
= 10 V
f = 1.2 GHz
6
4
3
1
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
1
OUTPUT CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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